Transistores de potencia: bipolares y Mosfets

Un transistor bipolar es aquel en que la señal a ser amplificada se alimenta en forma de corriente al elemento de control base. Y constructivamente se halla constituido de elementos de sicilicio del tipo N y P, en otras palabras estos elementos N y P son silicio altamente puro y que luego se le contamina intencionalmente con elementos como el Indio, Galio, etc. para darles la carga negativa y positiva.

El transistor bipolar tiene como característica importante de tener impedancias bajas de entrada salida, por lo que los circuitos prácticos incorporan redes de acoplamientos de impedancias hasta los 50 ohmios.

En un transistor bipolar los electrodos se denominan: emisor, base y colector.

Un MOSFET es un transistor de efecto de campo cuyo material es un semiconductor de óxido metálico, el término Mosfet se deriva de las palabras en inglés: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.

El electrodo de control del Mosfet es controlado por tensión, lo que le da una alta impedancia de entrada a este transistor.

Los electrodos del MOSFET son: compuerta, fuente y drenaje (gate, source y drain).

Los transistores Mosfet tienen una subdivisión dependiendo de la polarización usada en la compuerta, si esta es positiva respecto del terminal fuente (source) se dice que el MOSFET es de ENRIQUECIMIENTO y de cana N, que de paso es el transistor mayormente usado en la práctica.

Si la tensión de compuerta respecto del terminal fuente (source) es negativa entonces el MOSFET se denomina de EMPROBRECIMIENTO y canal P.

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